基于AlGaN/GaN 异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)与传统硅基功率器件相比,具有高频下功耗更低、开关性能更优异、体积更小等诸多优点,因此可显著降低电力系统的能耗,目前已应用于电源充电器、家电、汽车电力控制单元等领域。团队主要针对传统GaN HEMT等器件漏电流高、界面态密度大等缺点,开发新一代新型自隔离功率电子器件,隔离漏电流低至3×10-14A,低于领域内报道的最好水平1 个数量级以上,器件开关比大于108,亚阈值斜率为61mV/dec,接近理论极限值60 mV/dec;开发新型AlN背势垒、薄势垒增强型功率器件,为下一代单片集成电路的设计和开发奠定了基础。